- Содержание
- Предисловие
- Введение
- Глава 1. Основы физики полупроводниковых приборов
- 1.1. Зонная теория твердых тел
- 1.1.1. Основные термины и определения
- 1.1.2. Структура и типы проводимости полупроводников
- 1.1.3. Эффективная масса
- 1.1.4. Распределение свободных носителей зарядов по энергетическим зонам
- 1.2. Концентрация носителей зарядов в полупроводниках
- 1.3. Законы движения свободных носителей заряда в полупроводниках
- 1.4. Электропроводимость полупроводников
- 1.5. Равновесное и неравновесное состояния полупроводника
- 1.6. Механизмы рекомбинации
- 1.7. Основные уравнения, описывающие процессы в полупроводниках
- 1.8. Электрические переходы
- 1.8.1. Классификация электрических переходов
- 1.8.2. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия
- 1.8.3. Энергетическая диаграмма электронно-дырочного перехода в состоянии равновесия
- 1.8.4. Параметры р — n-перехода в состоянии равновесия
- 1.8.5. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии и его вольт-амперная характеристика
- 1.8.6. Сопротивление р— n-переходов
- 1.8.7. Вольт-амперная характеристика реального р—n-перехода
- 1.8.8. Пробой р—n-перехода
- 1.8.9. Барьерная емкость р—n-перехода
- 1.9. Задачи для самостоятельного решения
- Глава 2. Полупроводниковые материалы
- 2.1. Характеристика основных свойств полупроводниковых материалов
- 2.2. Классификация полупроводниковых материалов
- 2.3. Параметры полупроводниковых материалов
- 2.4. Простые полупроводники
- 2.5. Сложные полупроводники
- 2.6. Задачи для самостоятельного решения
- Глава 3. Полупроводниковые диоды
- 3.1. Классификация диодов
- 3.2. Выпрямительные диоды
- 3.3. Опорные диоды
- 3.4. Варикапы
- 3.5. Высокочастотные диоды
- 3.6. Импульсные диоды
- 3.7. Туннельные диоды
- 3.8. Обращенные диоды
- 3.9. Фотодиоды
- 3.10. Светодиоды
- 3.11. Задачи для самостоятельного решения
- Глава 4. Транзисторы
- 4.1. Биполярные транзисторы
- 4.1.1. Структура биполярных транзисторов
- 4.1.2. Режимы работы биполярных транзисторов и процессы переноса зарядов в них
- 4.1.3. Способы включения биполярных транзисторов
- 4.2. Моделирование биполярного транзистора
- 4.2.1. Обобщенная эквивалентная схема биполярного транзистора
- 4.2.2. Малосигнальные Т- и П-образные эквивалентные схемы биполярных транзисторов
- 4.2.3. Биполярный транзистор как четырехполюсник
- 4.3. Статические вольт-амперные характеристики транзисторов
- 4.4. Частотные и импульсные свойства биполярных транзисторов
- 4.5. Полевые транзисторы
- 4.5.1. Определения и классификация полевых транзисторов
- 4.5.2. Принцип действия и основные свойства полевых транзисторов
- 4.5.3. Физические процессы в МДП-структурах
- 4.5.4. Параметры МДП-транзисторов
- 4.5.5. МДП-транзистор как четырехполюсник
- 4.5.6. Работа МДП-транзисторов на высоких частотах и в импульсном режиме
- 4.5.7. Полевые МЕП-транзисторы и транзисторы с управляющим p— n-переходом
- 4.5.8. Полевые ГМЕП-транзисторы
- 4.6. Простейшие усилительные схемы на биполярных транзисторах
- 4.6.1. Обеспечение работы биполярных транзисторов в области активного режима
- 4.6.2. Малосигнальный усилитель включенный по схеме с общим эмиттером
- 4.7. Малосигнальный усилитель, включенный по схеме с общей базой
- 4.8. Малосигнальный усилитель, включенный по схеме с общим коллектором
- 4.9. Частотные свойства каскадов усиления
- 4.10. Задачи для самостоятельного решения
- Глава 5. Электровакуумные приборы
- 5.1. Классификация электровакуумных приборов
- 5.2. Электронные лампы низкочастотного диапазона
- 5.3. Электронные лампы сверхвысокочастотного диапазона
- Глава 6. Интегральные схемы
- 6.1. Классификация и условные обозначения интегральных схем
- 6.2. Цифровые интегральные схемы
- 6.2.1. Общие сведения
- 6.2.2. Основные характеристики и параметры цифровых интегральных схем
- 6.2.3. Цифровые устройства комбинационного типа
- 6.3. Аналоговые интегральные схемы
- 6.3.1. Основные определения и классификация операционных усилителей
- 6.3.2. Характеристики и параметры операционных усилителей
- 6.3.3. Анализ типовых схем, построенных на базе операционных усилителей
- 6.4. Цифроаналоговый преобразователь
- 6.5. Аналого-цифровые преобразователи
- 6.6. Программируемые логические интегральные схемы
- 6.7. Задачи для самостоятельного решения
- Глава 7. Устройства функциональной электроники
- 7.1. Принцип действия и структура устройств функциональной электроники
- 7.2. Устройства функциональной электроники, действующие на основе поверхностных акустических волн
- 7.3. Устройства функциональной электроники, действующие на основе магнитостатических волн
- 7.4. Приборы с зарядовой связью
- 7.5. Приборы на основе цилиндрических магнитных доменов
- Глава 8. Физико-технологические процессы изготовления элементов полупроводниковых и гибридных микросхем
- 8.1. Общие сведения
- 8.2. Технология, оборудование и материалы, необходимые для создания тонкопленочных элементов микросхем
- 8.3. Технологии, оборудование и материалы, необходимые для создания активных элементов методами диффузии и ионного легирования
- 8.4. Методы создания активных элементов
- 8.5. Литография
- 8.6. Технология микропайки и микросварки
- Приложения
- Приложение 1. Примеры графических условных обозначений основных активных элементов на принципиальных электрических схемах
- Приложение 2. Условное обозначение диодов по ОСТ и ГОСТ
- Приложение 3. Условные обозначения транзисторов
- Приложение 4. Условные обозначения интегральных схем
- Список литературы
Электроника
| Демонстрационный фрагмент! Для приобретения печатной книги или чтения онлайн обратитесь к менеджеру. |
|